DRAMをどう使うか？　――性能の改善技術とその性能を生かす選択方法

●低消費電力化の動向

　消費電力の削減は高速化や大容量化とは相反する要素です．しかし，世代交代とともに電源電圧の低下が達成されています．これは「消費電力一定」というユーザの要請にこたえるためのものです（図3）．

　JEDEC標準DRAMは上記の要請にこたえるものとなっています．JEDEC標準製品の例として0.13μmプロセスを用いた512MビットDDR-I SDRAMを写真1に示します．また，汎用モジュールの大容量化の技術例として，チップを積層するTCP（tape carrier package）を示します（図4，写真2）．

〔写真1〕512MビットDDR-I SDRAM
最新の大容量DRAMの例として，筆者ら（エルピーダメモリ）が開発した512MビットDDR-I SDRAMを示す．設計ルールは0.13μm．すでに量産中である．

〔図4〕TCPによる高密度実装化
大容量モジュールを実現する手段として，DRAMチップの積層化（スタック）がある．TCP（tape carrier package）はこの目的にかなう技術で，筆者らも製品展開を図っている．図はSO-DIMM（small out-line dual in-line memory module）の断面図である．（a）はTCPを積層して実現した．（b）はTSOP（thin small out-line package）を利用した．

〔写真2〕TCPを用いた高密度DIMM（DDR-Iの例）
TCP技術によって，積層後でも標準品と同じ寸法の大容量メモリ・モジュールを実現できる．ここでは，標準品と同じ厚さにしたSO-DIMMと，高さを抑えたLow Profile Registered DIMMを実例として示す．