DRAMをどう使うか？　――性能の改善技術とその性能を生かす選択方法

池田博明

技術解説 2003年3月17日

　情報処理機器向けでは，最大容量のDRAMをマルチソース供給とするため，主にJEDEC標準DRAMが用いられます．

EDO（extended data out）：非同期型DRAMの最後の形式．出力制御信号の/CASが"H"でも，出力をハイ・インピーダンスとしない．
SDRAM（synchronous DRAM）：同期型汎用DRAMの最初の形式．DDR SDRAMとの対比からSDR（single data rate）SDRAMとも表記．
DDR SDRAM（double data rate SDRAM）：クロックの立ち上がりと立ち下がりにデータを出力するSDRAM．DDR-I SDRAMとも表記．
DDR-II SDRAM：DDR-I SDRAMの高速版．2003～2004年に量産を予定．
DDR-III SDRAM：DDR-II SDRAMの高速版として検討が始まった仕様．2006～2007年に量産を予定．
VC-SDRAM（Virtual Channel SDRAM）：開発元はNEC．チップ上に多数のデータ・レジスタ領域を備えて高速動作を実現したSDRAM．
RDRAM（Rambus DRAM）：開発元はRambus社．独自の同期化手法を用いている．ナロー・バス・パケット制御の代表．JEDEC非標準．

　この市場でDRAMは，高速ランダム・アクセスと，高度のパイプライン処理を目指しています．JEDEC標準には準拠していません．

FCRAM（Fast Cycle RAM）：開発元は富士通，東芝．メモリ・アレイを細分化し，ランダム・アクセスの高速化と低消費電力化の双方をねらったもの．アドレス・ノンマルチとアドレス・マルチの製品バリエーションあり．
Network DRAM（NetDRAMとも表記）：開発元はSamsung社．FCRAMと互換．
RLRAM（Reduced Latency RAM）：開発元はInfineon社，Micron社．内部8バンクを順次アクセスする動作で高速化．non-multiplexedアドレス動作が基本．×16/32構成のRLDRAM-Iと，×9/18/36構成でI/O分離型のRLDRAM-IIがある．後者はオプションでmultiplexedアドレス動作が可能．

関連記事