DRAMをどう使うか？　――性能の改善技術とその性能を生かす選択方法

3）大容量化に伴う過渡電流

　DRAMのセルには微少ながらリーク電流が存在するため，蓄積された情報は一定時間で失われます．セルの保持時間をtREFと呼び，これは通常64msです．外部リフレッシュ命令を均等な時間間隔で入力する場合，リフレッシュ動作は7.8μsに1回（15.6μsに1回の場合もある）と規定されています．これはtREF期間中のリフレッシュ命令入力回数が8,000回強（＝64ms÷7.8μs）の一定値であることを示しています．このルールに従えば，世代交代でDRAM容量が2倍になると，リフレッシュ動作ごとに処理すべきセル数も2倍となります．

　倍増したメモリ・セル群を一気にリフレッシュすれば，過渡電流が著しく増大します．安定動作という面からは，大きな過渡電流の発生は回避しなければなりません．このため，DDR-II SDRAM以降からは1回のリフレッシュ動作で処理されるメモリ・セル群をグループ分けし，それぞれの動作開始時刻を少しずつずらして起動する機能（Piled Refresh）が新しく取り入れられました（図10）．この機能によって動作電流のピークの位置を分散させて，過大な過渡電流の発生を抑えています．

〔図10〕過渡電流の低減（Piled Refresh）
リフレッシュ対象領域をいくつかのセグメントに分け，それぞれの動作開始時間を少しずつずらして過渡電流のピーク値を低減する．DDR-IIから採用された手法．