DRAMをどう使うか？　――性能の改善技術とその性能を生かす選択方法

●画像機器向けDRAM製品群

　×32の構成を持つ製品群で，ポイント・ツー・ポイントのバス構成で高速に動作します．FBGAパッケージやODT（on die termination）が前提です．

• GDDR-II：VDD＝2.5V，VDDQ＝1.8Vで最大1Gbps動作．SSTL_18バス．
• GDDR-III：VDD＝VDDQ＝1.8Vで最大1.2Gbps動作．VDDQ終端バス．

●モバイル機器向けDRAM製品群

　汎用DRAMインターフェースを維持したまま，低電圧化・低電流化を目指した製品群です．

• LP SDRAM（Low Power SDRAM）：2.5V版SDRAM（汎用品は 3.3V）．
• Mobile RAM：開発元はInfineon社，エルピーダメモリ．部分リフレッシュ，温度補正リフレッシュなど電力の削減機能を強化したLP SDRAM．三菱製品では疑似SRAM製品にこの呼称を用いる．
• Mobile SDRAM：開発元はMicron社，Samsung社．Mobile RAMの別称．

●モバイル機器向け疑似SRAM製品群

　CPUなどとの親和性を高めるためにSRAMインターフェースを用いたDRAM製品です．

• CellularRAM：開発元はInfineon社，Micron社，米国Cypress Semiconductor社．16Mビット/32Mビットの×16構成の疑似SRAM．第2世代ではシンクロナス・バースト機能もサポート．VFBGAパッケージ．動作温度は－25℃～＋85℃．
• MSRAM（Mobile Specific SRAM，モバイル用途RAMとも表記）：開発元はNEC．32Mビットの×16構成．I/O電圧は1.8V．パッケージはテープFBGA．動作温度は－25℃～＋85℃．
• UtRAM：開発元はSamsung社．32Mビットの×16構成の疑似SRAM．2.7V～3.1V動作．MCP（multi-chip package）に組み込まれて用いられる．

●Embedded DRAM （DRAMコア）

• eRAM（Embedded DRAM）：開発元は三菱電機．DRAMコアの一般名称として用いられる場合もある．
• 1T-SRAM：開発元は米国Mosys社．高速DRAMコアを持つEmbedded DRAM．

　上記のほか，以下に大学における研究例を示します．

• PPRAM（Parallel Processing RAM，九州大学）
• IRAM（Intelligent DRAM，カリフォルニア大学）
• PIM（Processor In Memory，ノートルダム大学）
• C-RAM（Computational RAM，トロント大学）

　C-RAMは，Calcogenide RAM（Ovonic Unified Memory ：OUM）を指す場合もあるようです．