民生用LSIへの搭載を想定した低コストの1回書き込み型メモリ・コアを開発 ――オンチップOTPROM、セキュリティ、アナログ・トリミングなどに利用可能
● メモリ・セルはMOSトランジスタ
フラッシュ・メモリの場合，フローティング・ゲートに電荷を注入し，トンネル効果を利用することで'1'と'0'の値を格納します．一方，XPMでは，メモリ・セルにチャネル長が短いMOSトランジスタを使用しています．これは，プログラムされていない（書き込み前の）状態ではコンデンサ（開回路）として働きます．短い電圧パルスを用いてプログラムするとゲート酸化膜が破壊され，トランジスタは抵抗（閉回路）のようにふるまいます（図1）．また，通常動作時に余計な漏れ電流が流れることはありません．XPMメモリ・ブロックの書き込みに必要な電流は小さく，1Mビットのメモリをほんの数s（秒）でプログラムできます．
XPMアレイにおいて，選択された行と列のビット線とワード線に正しくバイアスをかけると，その行と列に対応したメモリ・セルがプログラムされます．同じように，プログラムされた情報を読み取る動作では，アレイ内の選択済みの行および列と，未選択の行および列に異なる電圧をかけます．これにより，アレイ上のどのセルがプログラムされているかを識別します．
図1 XPMのメモリ・セル
プログラム電圧の短いパルスがトランジスタの酸化膜を破壊し，開回路（コンデンサ）から閉回路（抵抗）に変わる．
