4)集中定数回路素子
MEMS技術を利用して3次元スパイラル・インダクタが製作されています8),9).このインダクタは電界メッキによるCuからなり,製作途中の犠牲層にNiを利用しています.インダクタンスは10GHz帯で10nH程度の値が得られており,このとき全体の寸法は約0.1mm角です.
また,圧電材料(AlN,ZnOなど)の機械的な振動(バルク)を利用したフィルタ(共振器)もMEMS技術を応用して開発されています18).SAW(surface acoustic wave) 素子に比べて10GHz以上の高い周波数まで動作する,素子の寸法が小さい,といった特徴があります.