4）集中定数回路素子
MEMS技術を利用して3次元スパイラル・インダクタが製作されています8），9）．このインダクタは電界メッキによるCuからなり，製作途中の犠牲層にNiを利用しています．インダクタンスは10GHz帯で10nH程度の値が得られており，このとき全体の寸法は約0.1mm角です．
また，圧電材料（AlN，ZnOなど）の機械的な振動（バルク）を利用したフィルタ（共振器）もMEMS技術を応用して開発されています18）．SAW（surface acoustic wave） 素子に比べて10GHz以上の高い周波数まで動作する，素子の寸法が小さい，といった特徴があります．
