表3 次世代不揮発性メモリの特性比較
|
スタック・ゲート型フラッシュメモリ(NAND) |
SSTスプリット・ゲート型フラッシュメモリ |
SONOS/
MONOS |
NanoCristal
(NOR) |
FeRAM |
MRAM |
PRAM |
ReRAM |
SRAM |
DRAM |
不揮発性 |
○ |
○ |
○ |
○ |
○ |
○ |
○ |
○ |
× |
× |
セル・サイズ
[F2]* |
4 |
|
7 |
10 |
10~20 |
10~20 |
6~8 |
5~8 |
100~150 |
6~8 |
容量 |
◎ |
○ |
○ |
○ |
△ |
△ |
○ |
◎ |
× |
○ |
書き込み時間 |
1ms |
20μs |
20μs |
|
30-100ns |
10-50ns |
50ns |
25ns |
0.4ns |
<15ns |
消去時間 |
0.1s |
50ms |
20ms |
|
15ns |
<25ns |
120ns |
|
0.4ns |
<15ns |
書き込み電圧 |
15V |
12V |
5-6V |
12V |
0.9~3.3V |
1.8V |
3V |
|
1.2V |
2.5V |
読み出し時間 |
70ns |
|
14ns |
|
80ns |
<25ns |
60ns |
<15ns |
0.4ns |
<15ns |
書き換え回数 |
105 |
105 |
|
105 |
1016~1012 |
1016 |
1012 |
|
1015 |
1015 |
データ保持時間 |
10年 |
10年 |
10年 |
10年 |
10年 |
10年 |
10年 |
10年 |
0.1s |
0.1s |
読み出し形式 |
非破壊 |
非破壊 |
非破壊 |
非破壊 |
破壊 |
非破壊 |
非破壊 |
非破壊 |
非破壊 |
非破壊 |
消費電力 |
○ |
○ |
○ |
○ |
◎ |
○ |
○ |
○ |
○ |
○ |
待機電流値 |
<1μA |
<1μA |
<1μA |
<1μA |
<1μA |
<1μA |
<1μA |
<1μA |
100μ-1μA |
100μ-1μA |
動作電流 |
○ |
○ |
○ |
○ |
◎ |
△ |
△ |
|
◎ |
◎ |
*Fは最小加工線幅.分離領域が必要なので4F2が実現可能な最小セル面積.