フラッシュ・メモリの高速化技術と最新の不揮発性メモリの動向 ―― フラッシュの次を担うのは、フラッシュかそれとも...

柴田茂則，太田豊

tag: 半導体電子回路

技術解説 2008年7月31日

表3　次世代不揮発性メモリの特性比較

	スタック・ゲート型フラッシュメモリ（NAND）	SSTスプリット・ゲート型フラッシュメモリ	SONOS/ MONOS	NanoCristal （NOR）	FeRAM	MRAM	PRAM	ReRAM	SRAM	DRAM
不揮発性	○	○	○	○	○	○	○	○	×	×
セル・サイズ［F²］*	4		7	10	10～20	10～20	6～8	5～8	100～150	6～8
容量	◎	○	○	○	△	△	○	◎	×	○
書き込み時間	1ms	20μs	20μs		30-100ns	10-50ns	50ns	25ns	0.4ns	<15ns
消去時間	0.1s	50ms	20ms		15ns	<25ns	120ns		0.4ns	<15ns
書き込み電圧	15V	12V	5-6V	12V	0.9～3.3V	1.8V	3V		1.2V	2.5V
読み出し時間	70ns		14ns		80ns	<25ns	60ns	<15ns	0.4ns	<15ns
書き換え回数	10⁵	10⁵		10⁵	10¹⁶～10¹²	10¹⁶	10¹²		10¹⁵	10¹⁵
データ保持時間	10年	10年	10年	10年	10年	10年	10年	10年	0.1s	0.1s
読み出し形式	非破壊	非破壊	非破壊	非破壊	破壊	非破壊	非破壊	非破壊	非破壊	非破壊
消費電力	○	○	○	○	◎	○	○	○	○	○
待機電流値	<1μA	<1μA	<1μA	<1μA	<1μA	<1μA	<1μA	<1μA	100μ-1μA	100μ-1μA
動作電流	○	○	○	○	◎	△	△		◎	◎

＊Fは最小加工線幅．分離領域が必要なので4F2が実現可能な最小セル面積．

tag: LSI, メモリ, 市場動向

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