フラッシュ・メモリの高速化技術と最新の不揮発性メモリの動向 ―― フラッシュの次を担うのは、フラッシュかそれとも...
表1 各種フラッシュ・メモリのカタログ値
| メーカ | 機種 | 電源電圧 | ライト・サイクル時間 tWC | リード・サイクル時間 tRC | 内部データ転送時間 tR | ブロック消去時間 tBERASE(東芝) tBERS(Samsung) | 書き込み時間 tPROG |
| 東芝 | TC58NVG0S3A FT00 | 2.7V-3.6V | 50ns | 50ns | 25μs | 1.5ms(typ) 3ms(max) | 200μs(typ) 500μs(max) |
| Samsung Electronics社 | K9F2G08U0A | 2.7V-3.6V | 25ns | 25ns | 25ns | 1.5ms(typ) 2ms(max) | 200μs(typ) 700μs(max) |
| メーカ | 機種 | 電源電圧 | ライト・サイクル時間 tWC (Spansion/ST) tRC(SST) | ライト・サイクル時間 tAVAV (Spansion/ST) tWP+tWPH(SST) | アドレス・アクセス時間 tAVOV (Spansion/ST) tAA(SST) | セクタ消去時間 tWHWH2(Spansion) tBE(SST) Brook Erase(ST) | チップ消去時間 Chip Erasa Time (Spansion) tSCE(SST) Chip Erase(ST) | 書き込み時間 tWHWH1 (Spansion) tBP(SST) Program(ST) |
| Spansion社 | S29GL032A | 2.7V-3.6V | 90ns | 90ns | 90ns | 500ms(typ) | 32000ms(typ) | 240μs(typ) |
| SST社 | SST39VF3201 | 2.7V-3.6V | 70ns | 70ns | 70ns | 25ms(max) | 50ms(max) | 10μs(max)1word |
| STMicroelectronics社 | M29W320D | 2.7V-3.6V | 70ns | 70ns | 70ns | 600ms(typ) | 40000ms(typ) | 10μs(typ)1word |
| メーカ | 機種 | 電源電圧 | シリアル・クロック FCLK FR（Winbond） FSCK（Spansion） | ブロック消去時間 tSE | チップ消去時間 tCE （SST/Winbond/三洋） tBE (ST/Spansion) | バイト書き込み時間 tBP（SST） tBP1（1st Byte）/ tBP2（After 1st Byte） （Winbond） | ページ書き込み時 tPP（ST/Winbond/ 三洋/Spanmsion） |
| SST社 | SST25VF080B | 2.7V-3.6V | 66MHz | 25ms | 50ms（max） | 10μs（max） | ページ書き込み非対応 （AACモードあり） |
| STMicroelectronics社 | M25P80 | 2.7V-3.6V | 75MHz | 600ms（typ） | 8000ms（typ） | 0.64ms（typ） | |
| Winbond社 | W25Q80 | 2.7V-3.6V | 80MHz（×4） | 120ms（typ） | 12000ms（typ） | tBP1=20μs tBP2=8μs（typ） | 1.5ms（typ） |
| 三洋半導体 | LE25FW808TT | 2.7V-3.6V | 50MHz（×8） | 100ms（typ） | 250ms（typ） | 0.3ms（typ） | |
| Spansion社 | S25FL008A | 2.7V-3.6V | 50MHz | 500ms（typ） | 6000ms（typ） | 1.5ms（typ） |
