SiPモジュールとは何か？ ――「選択肢の一つ」から「必要不可欠な技術」へ
●シングル・パッケージと同等の薄さを実現する技術
筆者らのスタック型SiPの開発コンセプトは，搭載しているSHマイコンと同じパッケージの大きさ，同じパッケージの高さ，同じピン配置（各信号，電源機能のピン端子の位置も同じ）を実現することです．こうすれば，顧客の既存システムの設計変更を減らし，開発期間の増大を防ぐことができます．このような開発コンセプトを実現するための技術について説明します．
まず，SHマイコンと同等の薄さを実現するための三つの技術について，説明していきます．
1）ウェハ・バック・グラインド技術
1パッケージと同じパッケージ高さのSiPを実現するためには，ウェハの薄化技術（バック・グラインド技術）が必須となります．筆者らは現在，300mm径ウェハを130μm～150μmにまで薄くしています．2チップを積層する場合，パッケージ取り付け高さが1.3mm以下のスタック型SiPを開発しています．
また，最近では，CPUに複数のメモリを混載した3チップ以上のSiPに対する要求が強くなっています．今後は，ウェハの厚さを100μm以下にする薄化技術についても検討していきます．
