TSMCやIBM社などの製造ラインを使い，1/5～1/10の費用でLSIを試作 ――複数ユーザが1枚のウェハに相乗りして試作コストを低減
現在，MOSISの試作サービスでは，TSMCとIBM社を含む8社28種類のプロセスを利用できます（表2）．回路ライブラリについては，米国Artisan Components社や米国Virage Logic社のものが利用できます．
パッケージについては，DIP（dual in-line package），PGA（pin grid array），LCC（leadless chip carrier）などのセラミックス・パッケージと，BGA（ball grid array），QFP（quad flat package），TQFP（thin quad flat package）などのプラスチック・パッケージが用意されています．ただし，これらの費用は試作費用の中に含まれていません．別請求となります．試作を申し込むときにいっしょに依頼すれば，パッケージに組み込んだ状態で試作チップを納品してくれます．
〔表2〕 MOSISの試作サービスで利用できる製造プロセス
|
社 名
|
プロセス技術
|
| 米国Agilent Technologies社 | 0.5μm CMOS |
| 米国AMIS （AMI Semiconductor）社 |
0.5μm～1.5μm CMOS |
| オーストリア austriamicrosystems社 |
HV（high voltage）CMOS，SiGeパイポーラCMOS |
| 米国IBM社 | 0.25μm/0.35μm/0.5μmSiGeバイポーラCMOS， 0.13μm/0.18μm/0.25μm CMOS |
| フランスOMMIC社 （旧Philips Microwave Limeil） |
GaAs |
| 米国Peregrine Semiconductor社 | SOS（silicon on sapphire）- CMOS |
| 台湾TSMC （Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.） |
0.18μm/0.25μm/0.35μm CMOS （ディジタル，ミックスト・シグナル） |
| 米国Vitesse Semiconductor社 | InP |
