1トランジスタ構成の疑似SRAMは携帯機器分野で開花するか? ――バッテリ寿命,高集積度への市場要求に対する一つの答え

Rajesh Manapat,Manoj Roge

tag: 組み込み 半導体

技術解説 2003年4月14日

 図8は,メモリ・アクセス方式ごとの性能を比較したものです.アクセス時間が70nsの非同期インターフェース,アクセス時間70ns/ページ・アクセス時間25nsのページ・モード・インターフェース,66MHzのバス・クロックに対応した同期インターフェースについて比較を行いました.図8から,ページ・サイズ数が増えると性能は向上しますが,連続して読み出し/書き込みを行うような環境では同期インターフェースの性能は落ちていることがわかります.

f08_01.gif
〔図8〕アクセス方式別の性能比較
アクセス時間が70nsの非同期インターフェース,アクセス時間70ns/ページ・アクセス時間25nsのページ・モード・インターフェース,66MHz動作の同期インターフェースについて比較を行った.

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