1トランジスタ構成の疑似SRAMは携帯機器分野で開花するか? ――バッテリ寿命,高集積度への市場要求に対する一つの答え

Rajesh Manapat,Manoj Roge

tag: 組み込み 半導体

技術解説 2003年4月14日

●NANDフラッシュと高速メモリを使ってコストを下げる

 通常の携帯電話では,フラッシュ・メモリにOSとアプリケーション・ソフトウェアが保存されています.電話を操作しているとき,プログラム・コードがフラッシュ・メモリから読み出されて実行されます.プログラム・コードの実行中は,中間データやレジスタ・スタックなどのデータを保存するためにSRAMを使用します.多くのデータを処理する傾向が強まっているため,アプリケーション・ソフトウェアの規模や複雑性が増しています.このため,大容量のSRAMとともに大容量で高速なフラッシュ・メモリが搭載されるようになっています.

 一方,大容量で高速なフラッシュ・メモリを使用すると,製品コストが上昇します.この解決策の一つとして,安価で低速のNAND型フラッシュ・メモリと高速のRAMを組み合わせる方法があります.「コード・シャドウイング」と呼ばれるこの方法では,起動時にプログラム・コードがNAND型フラッシュ・メモリから高速なRAMへ転送された後,RAMから読み出されて実行されることになります.現在では,RAMとして同期型の疑似SRAMと低電圧対応のSDRAMが使用されています.

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