1トランジスタ構成の疑似SRAMは携帯機器分野で開花するか？　――バッテリ寿命，高集積度への市場要求に対する一つの答え

●非同期からページ・モード，そして同期へ

　オーディオ/ビデオのストリーミング，インターネット・アクセスなどの機能を提供する携帯電話は，ベースバンドLSIとメモリの間で高速なデータ転送が必要となります．このため，高速ページ・モードまたはバースト・アクセスの機能を備えたメモリが，従来の非同期メモリに急速にとって代わってきています．

　ページ・モードまたはバースト・モードを備えるメモリでは，シーケンシャル・アクセス（ランダム・アクセスと異なり，記録した順番にデータを読み出す）によって，より高い性能を確保することができます．ページ・モードまたはバースト・モードにおける初回のアクセスは，従来の非同期メモリと同じ時間がかかりますが，2回目以降のアクセスは非常に速くなります．

　昔の携帯電話のRAMは，アクセス時間が70nsの非同期メモリでしたが，時間が経つとともにこの要件は55nsに変わりました．図5は，標準的な非同期アクセスを示しています^注2．

 注2；タイミングの詳細な説明については，Webサイト「http://www.cypress.com/support/」を参照．

〔図5〕非同期アクセス
tRCは読み出しサイクルを，tACEはチップ・イネーブルがアサートしてからデータが有効となるまでの時間を表している．CE（チップ・イネーブル），OE（アウトプット・イネーブル），WE（ライト・イネーブル），BHE/BLE（バイト・ハイ/バイト・ロー・イネーブル），I/O（データの入力/出力信号）は，疑似SRAMへのインターフェース・ピンである．CE，OE，BHE/BLEをアクティブにしたあとで，アドレスがラッチされデータが読み出される．1回目，2回目のアクセス時間にほとんど差はない．