『E検定』の問題にチャレンジ！ ―― 模擬問題（全10問）とその解答
【問8 解説】 分野：半導体 難易度：レベル3
【答】 ア
電圧係数と温度係数の説明は問題文の通りです．
係数には1次，もしくは2次，それ以上の関数がある場合があり，単純な1次関数とは限りません．また，正負両方ありえます．抵抗素子の場合，不純物半導体で構成されるため，一般的なディスクリート部品よりも温度係数は大きくなります．
閾（しきい）値電圧のバラつきは構造パラメータが小さいほど影響が大きくなります．MOSミスマッチ・モデルによって，トランジスタ・サイズに応じたバラつきを評価することができます．ユニフォミティ（ウェハ面内の均一性）によって素子バラつきが変わってくるので，所定の近接配置のレイアウト時における統計値（σ：シグマ）で規定されます．
絶縁膜材料における誘電率の大きさの傾向を示すのにlow-k，High-kと表現します．
ゲート絶縁膜においては，実際にゲート酸化膜を薄くするのには物理的限度があり，トンネル効果によるゲート・リーク電流の増大にも繋がるので，代わりに厚みを維持したまま，酸化膜の比誘電率を大きくしたいなどの要求から，High-k材料が求められます．
