『E検定』の問題にチャレンジ！ ―― 模擬問題（全10問）とその解答
【問8】 分野：半導体 難易度：レベル3
以下の集積回路とプロセスの説明文において空欄部を埋めた組み合わせで正しいのはどれか．
抵抗素子は（ A ）と（ B ）のパラメータを持つ．（ A ）は素子に印加されるバイアス電圧による抵抗値の変化を係数にしたもので，（ B ）は素子の温度による抵抗値の変化を係数としたものである．MOSトランジスタ素子においては，（ C ）のバラつきをモデル化したMOSミスマッチモデルがある．これは所定の近接配置を行ったときのバラつきをMOS構造パラメータに応じて計算させるためのものである．
微細なプロセスほど配線層間の距離が縮小する事による結合を避けるために，絶縁には（ D ）絶縁膜が用いられ，MOSトランジスタのゲート絶縁膜にはリーク電流を軽減するなどのために（ E ）絶縁膜が用いられる．
ア A：電圧係数 B：温度係数 C：閾値電圧 D：low-k E：High-k
イ A：電圧係数 B：温度係数 C：閾値電圧 D：High-k E：low-k
ウ A：電圧係数 B：温度係数 C：寸法 D：low-k E：High-k
エ A：温度係数 B：電圧係数 C：ドレイン電流 D：High-k E：low-k
