組み込み機器に欠かせなくなった不揮発メモリの最新動向 ―― フラッシュROM，FeRAM，MRAMの現在

●非同期SRAMやEEPROMと互換性を持たせたFeRAMを製品化

　FeRAMについては，例えば富士通マイクロエレククトロニクスが256Kビット～2Mビットの「MB85R-FeRAMファミリ」を製品化しています（表3）．アクセス速度は70ns～100nsと比較的低速ですが，書き換え回数は10の10乗回（10億回）が可能となっており，フラッシュROMやEEPROMをしのぎます．

　特徴的なことは，48ピンのTSOPパッケージに封止されており，非同期SRAMと同一パッケージであることです．ピン機能に互換性があるため，非同期SRAMを搭載した組み込み機器であれば，基板のレイアウト設計を変更しなくても，そのままの状態でFeRAMに差し替えられます．

　また，同じ技術を使った「MB58RS256」というICも登場しています．このICの容量は256Kビットで，SPIインターフェースを備えています．これは，従来のEEPROMの置き換えを狙ったものです．

●MRAM製品の特徴は高集積と幅広い動作温度範囲

　MRAMについては，東芝やNECなど，複数の企業が研究・開発を行っています．このうちFreescale Semiconductor社は，記憶容量が4MビットのMRAM「MR2A16A」を既に製品化しています．アクセス時間は35ns，最大消費電流は150mA前後という仕様で，44ピンのTSOPパッケージに封止して提供しています．MRAMは，技術的にFeRAMよりも単位面積当たりの集積度を引き上げることが容易です．そこで，数Mビット～数十Mビットの記憶容量を持つ製品の登場が期待されています．

　MRAMの特徴の一つは，車載用や軍事用などで要求される，幅広い温度範囲で動作保証された品種が用意される点です．英国e2V社は同社の既存製品の拡張版として，動作温度範囲が－40℃～100℃，および－55℃～125℃のMRAMを提供しています．こちらも既存製品と同一パッケージで提供されており，温度範囲の選択肢が広がります．

　なお，Freescale Semiconductor社が開発したMRAM製品やその関連技術については，2008年6月より，同社が出資する合弁会社のEverSpin Technologies社への技術移管が始まっています．

いくら・まさみ
FPGA-Magician / 来栖川電工(有)