組み込み/ストレージ機器向けプロセッサやAtom内蔵の民生機器向けプロセッサを発表 ―― IDF（Intel Developer Forum） 2009レポート

　米国Intel社は，システム開発者向け会議「IDF（Intel Developer Forum） 2009」を9月22日～24日に米国カリフォルニア州San Franciscoの会議場Moscone Center Westで開催した（写真1）．IDFは，同社の技術開発の方向性や次世代プロセッサの最新開発状況，将来のビジョンなどを紹介する．本レポートでは基調講演を中心に，技術開発のトレンドやプロセッサ製品の開発状況を伝える．

写真1　IDF会場のMoscone Center West

　初日の午前には，同社のプレジデント兼最高経営責任者（CEO）を務めるPaul S. Otellini氏が，「Building a Continuum of Computing」と題して講演した（写真2）．同社のマイクロプロセッサ製品群は大別すると，インターネット接続機器向けのAtomプロセッサ，パソコン向けのCOREプロセッサ，サーバ向けのXeonプロセッサに分かれる（写真3）．いずれも最新世代は45nmの高誘電率膜/金属ゲート（High-k/Metal Gate）技術で製造されており，CPUコアはAtomプロセッサが「Bonnell」コア，COREプロセッサとXeonプロセッサがともに「Nehalem」コアとなっている．

写真2　Intel社のCEOを務めるPaul S. Otellini氏

写真3　同社のマイクロプロセッサ製品群（クリックすると拡大）

　半導体製造技術の微細化動向でみると，45nm世代の次は32nm世代である．32nm世代のプロセッサの量産は，2009年第4四半期に始まる．その次の世代は22nm世代で，開発が順調に進めば，2011年に量産が始まる．講演では，22nm技術で高密度SRAMを作り込んだウェハの実物がOtellini氏により披露された（写真4）．

写真4　22nmと微細な半導体製造技術で高密度SRAMを作り込んだウェハ

　22nmプロセスのトランジスタには高誘電率膜/金属ゲート技術を用いる．同社の高誘電率膜/金属ゲート技術の適用は，3世代目になるという．試作したSRAMのメモリ・セルの面積は0.092μm2（平方ミクロン）と非常に小さい．SRAMチップの記憶容量は364Mビット，集積したトランジスタの数は29億トランジスタである．

　インターネット接続の組み込み機器向けとして普及が始まったAtomプロセッサについては，32nm以降のロードマップを示した（写真5）．まずマイクロプロセッサを開発し，それからマイクロプロセッサをCPUコアとしたSoC（System on a Chip；特定用途向けプロセッサ）を開発する．最初のAtomプロセッサである45nm版から，32nm版，22nm版，15nm版と同じ方針でマイクロプロセッサとSoCを開発していく計画である．なお32nm版のAtomプロセッサは，「Saltwell」と呼ぶコアを内蔵するマイクロプロセッサになる．

写真5　Atomプロセッサのロードマップ（クリックすると拡大）

　そしてAtomプロセッサで動くソフトウェアの開発者をサポートするプログラム「Intel Atom Developer Program」を始めたことを明らかにした（写真6）．Intel Atom Developer ProgramのWebサイトがすでに立ち上がっており，ソフトウェア開発を支援する情報を提供していく．

写真6　ソフトウェアの開発者支援ログラム「Intel Atom Developer Program」