SSDが高速性を誇示，NAND型フラッシュは低コストの64Gビット品が登場 ―― Flash Memory Summit 2010

●3ビット/セル技術の64GビットNANDフラッシュ・メモリ

　NAND型フラッシュROMの分野では，米国Intel社と米国Micron Technology社が8月17日に，3ビット/セル技術（TLC技術）による64Gビットの大容量NAND型フラッシュROMを共同開発し，出荷を始めたと発表した．シリコン・ダイ面積が131mm²と64GビットのNAND型フラッシュROMとしては最も小さく，理論的には製造コストが低い（写真7）．製造技術は25nmのCMOSプロセスである．なおIntel社とMicron Technology社の両社が2ビット/セル技術（MLC技術）と25nmプロセスで開発済みの64GビットNAND型フラッシュROMは，シリコン・ダイ面積が167mm²．MLC技術からTLC技術に変更することで，シリコン・ダイ面積は約78％に減少している．

写真7　3ビット/セル技術による64GビットNAND型フラッシュROMのシリコン・ダイ

　本展示会のMicron Technology社のブースには，3ビット/セル技術（TLC技術）による64GビットNAND型フラッシュROMを作り込んだシリコン・ウェハの実物が，展示されていた（写真8）．直径300mmのウェハである．

写真8　3ビット/セル技術による64GビットNAND型フラッシュROMを作り込んだシリコン・ウェハ

●エンタープライズSSDの共通規格に準拠したコントローラ

　エンタープライズ向けサーバとNAND型フラッシュROM用コントローラの共通インターフェース規格に，Enterprise NVMHCI（Non-Volatile Memory Host Controller Interface）がある．Intel社が中心となって策定している，ホストとフラッシュROMコントローラを結ぶ共通仕様で，PCI Express対応SSDとホスト・マシンの間のプログラミング・インターフェースを規定する．2010年第4四半期には仕様が固まる予定だ．そのEnterprise NVMHCIに準拠したコントローラを，米国IDT（Integrated Device Technology）社が展示していた．

　コントローラはシリコン・チップではなく，FPGAを並べた開発ボードにコントローラ回路を格納したもの（写真9）．NAND型フラッシュROMおよびサーバと接続して実際に動かしてみせていた．サーバとコントローラの接続にはPCI Express Gen 1を4レーン使っている．

写真9　Enterprise NVMHCI準拠のコントローラを格納した開発ボード

●SSDの高速性と低消費電力性を動作展示でアピール

　このほかSSDベンダの米国STEC社は展示ブースで，SSDとHDDの入出力速度，データ転送速度，消費電流を比較するデモンストレーションを実施していた（写真10，写真11）．SSDは同社の32Gバイト品，HDDは米国Western Digital社の160Gバイト品（回転速度は5400rpm）である．

　入出力速度（IOPS）はSSDが7503，HDDが120，データ転送速度はSSDが約31Mバイト/s，HDDが約0.5Mバイト/sといずれもSSDが優っていた（写真10）．また，消費電流はSSDがHDDの5分の1くらいだった．

写真10　入出力速度（IOPS）とデータ転送速度をSSD（左）とHDD（右）で比較してみせた

写真11　SSD（左）とHDD（右）のセットアップ
隣に置いたメータは電流計である．

ふくだ・あきら
フリーランステクノロジーライター
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