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富士通セミコンダクター，150V耐圧のGaNパワー・デバイスを開発
ニュース 2013年7月11日
富士通セミコンダクターは，電力変換効率が高く，高周波動作などの特性を持つ窒化ガリウム（GaN）をシリコン基板上で用いた，150V耐圧のパワー・デバイス「MB51T008A」を開発した．既にサンプル出荷を開始しており，2014年中に量産を開始する予定．
本パワー・デバイスのオン抵抗は13mΩ，ゲート電荷量は16nCで，同耐圧のSi系パワー・デバイスに比べてFOM（Figure Of Merit：トランジスタの性能指標値．オン抵抗とゲート電荷量の積で表され，数値が小さいほど高効率・高速動作となる）が約1/2だという．独自のゲート構造によりノーマリオフ動作（ゲート電圧がゼロのときにトランジスタに電流が流れない動作）が可能．WL-CSP（Wafer-level Chip Scale Package）に封止して提供する．最大ドレイン電流は20A．
本パワー・デバイスは，データ通信機器や産業用製品，白物家電，車載の電源装置に使われるDC-DCコンバータのハイサイド・スイッチやローサイド・スイッチとして適しているという．なお同社は，本デバイスのほかに，600V耐圧品や，30V耐圧品の製品化も進めている．
写真1 MB51T008Aの外観
表1 MB51T008Aの主な特性
| 耐圧 | 150V |
| しきい値電圧 | 1.8V |
| オン抵抗 | 13mΩ |
| ゲート電荷量 | 16nC |
| パッケージ | WL-CSP |
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