ルネサス，メモリ容量が36MビットのQDR II SRAMを発売

　ルネサス テクノロジは，36MビットQDR（Quad Data Rate）II SRAMを発売する．ビット構成（×8，×9，×18，×36）やバースト長（2または4）などの異なる8種類のシリーズを用意する．例えば，「HM66AQB36102シリーズ」のバースト長は2，構成は×36．OC-192（伝送速度は10Gbps）やOC-768（同40Gbps）に対応した通信ネットワーク機器における需要を見込んでいる．

　QDR SRAMは，入力と出力を分離させてそれぞれにDDR(double data rate)転送を採用しているため，1サイクル当たり4データを転送できる．QDR Co-Development Team（米国Cypress Semiconductor社，米国IDT（Integrated Device Technology）社，NECエレクトロニクス，韓国Samsung社，ルネサス テクノロジ）がQDR SRAMの仕様策定や開発を手がけている（なお，ルネサス テクノロジについては現在正式契約の最終手続き中）．

　本QDR II SRAMの最大動作周波数は333MHz．電源電圧はVDDが1.7～1.8V，VDDQが1.4V～VDD．I/OインターフェースとしてはHSTLに対応している．

　サンプル出荷は2003年9月末から開始する予定．量産出荷の開始時期は同年12月．これとは別に36MビットDDR II SRAMも開発しており，2004年1月末からサンプル出荷を開始するという．DDR II SRAMの仕様もQDR Co-Development Teamが策定した．

[写真1] HM66AQB36102BP-40の外観

[表1] 製品の概要