東芝は，SOI（silicon on insulator）基板にDRAMコアを組み込むためのDRAMメモリ・セル技術「FBC（Floating Body Cell）」を開発した．同社は，本メモリ・セル技術の動作原理と回路技術を実証するためにテスト・チップを試作した．96kビットのAMD（array diagnostic monitor）回路を作成したところ，アレイ・アクセス時間は36ns，データ・スイッチング時間は30ns，電荷保持時間は500ms（85℃の場合）だった．
従来のDRAMセルには，バルク基板上に電荷を蓄えるためのキャパシタと，スイッチングするためのMOSトランジスタが形成されている．一方，本メモリ・セルでは，SOI基板上に形成されたMOSトランジスタのフローティング（浮遊状態の）ボディに電荷が蓄積される．このMOSトランジスタがスイッチング素子と記憶素子の二つの役割を果たす．これによって，メモリ・セルの面積を，バルク基板に形成する場合の約1/2にできたという．また，本メモリ・セルは従来のシステムLSIの製造プロセスを利用して形成することが可能である．
同社は，2006年以降に本メモリ・セルを製品に適用する予定．
[写真1] メモリ・セル構造の比較
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