米国International Rectifier社は，2個のnMOSFET素子をCSP（chip size package）に封止したパワーMOSFET「IRF6156」を発売した．外形寸法は2.25mm×1.5mm×0.8mmと小さい．TSSOP封止品と比べて実装面積を80％削減できるという．主に携帯電話やPDA，ノート・パソコンといったリチウム・イオン電池を使う機器などの保護回路に用いられる．
本MOSFETに内蔵される2個のnMOSFET素子は，ドレイン端子が共通となっている．また，それぞれのnMOSFET素子のゲートとソースの間にはEDS（静電気放電）対策用のツェナ・ダイオードが組み込まれている．
本MOSFETとプリント基板の間の熱抵抗は35℃/Wと小さい．また，ソース端子とソース端子の間の連続電流（順方向電流と逆方向電流）は±6.5A．耐圧は20V．ON抵抗は40mΩ（ゲート-ソース間の電圧が4.5Vのとき）である．
[図1] IRF6156の構造
[写真1] IRF6156の外観
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