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シャープ，2個のフラッシュ・メモリと1個のSRAMを1パッケージに封止した1.8V動作の携帯電話向けメモリを発売
ニュース 2002年12月10日
シャープは，2個のフラッシュ・メモリと1個のSRAMを1パッケージに封止したメモリ・モジュール「LRS13A0」を発売する．電源電圧は1.65V～1.95V．各フラッシュ・メモリの容量は64Mビット，SRAMの容量は16Mビットである．電源電圧が1.8Vの低電圧動作に移行しているGSM（Global System for Mobile Communications）/GPRS（General Packet Radio Service）方式携帯電話での需要を見込んでいる．
本メモリ・モジュールの動作時の消費電流は，フラッシュ・メモリ，SRAMともに25mA，待機時の消費電流は，フラッシュ・メモリが100μA，SRAMが10μA．また，動作電圧1.65Vのとき，フラッシュ・メモリとSRAMのアクセス時間はともに70ns．パッケージは72ピンBGA．外形寸法は8mm×11mm×1.4mm．
サンプル出荷の開始時期は2002年12月末，量産出荷の開始時期は2003年1月末．
[写真1] LRS13A0の外観
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