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富士通セミコンダクター，10兆回のデータ書き換えを保証する1Mビットと2MビットのFRAMを発売
ニュース 2013年3月22日
富士通セミコンダクターは，10兆回のデータ書き換えを保証する1MビットFRAM（Ferroelectric Random Access Memory）「MB85RS1MT」と2MビットFRAM「MB85RS2MT」を発売する．2Mビット品の書き込み時間は0.7ms，消費電力量は0.46mJ．
産業用機器やスマート・メータなどの計測機器，補聴器などの医療機器に利用できる．例えばデータ記録用SRAMとプログラム格納用EEPROMを統合して本FRAMに置き換えれば，部品点数が減り，データ保持用の電池も不要となる．実装面積も90％以上減少するという．
FRAMとは，強誘電体膜をデータ保持のキャパシタに利用する不揮発メモリ．電源を切っても，データは消えない．また，データのランダム・アクセスが可能．停電や瞬間的な電源断が発生しても，書き込み中のデータを安全に保存できることから，FA機器や計測機器，金融端末，医療機器などを中心に採用が進んでいる．同社は1999年にFRAMの量産を開始している．今回の2品種は，同社のFRAM製品の中では最大のメモリ容量となっている．
本FRAMは，2013年3月末よりサンプル出荷を開始する．
図1 書き込み時間の比較
図2 消費電力の比較
図3 実装面積の比較
写真1 MB85RS1MT，MB85RS2MTの外観
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