[ keyword： 電源， 電子部品 ]
ローム，電力変換性能を約30％改善した耐圧40V/100AのパワーMOSFETを発売
ニュース 2012年7月26日
ロームは，同社の従来品と比べて電力変換性能を約30％改善した耐圧40V/100AのパワーMOSFETの新シリーズ，全13品種を発売する．パワーMOSFETの性能を示すFOM（Figure of Merit；オン抵抗とゲート・ドレイン間電荷量の積）の値は21．産業用機器や車載用機器などで使われる24V入力のDC-DCコンバータの開発に利用できる．
本パワーMOSFETは，9A～100Aという幅広い電流値（ドレイン電流）に対応する．ゲート・ソース間電圧が10Vのときのオン抵抗は1.5mΩ～20.0mΩ，4.5Vのときのオン抵抗は2.0mΩ～26.0mΩ．ゲート・ソース間電圧が10Vのときの全ゲート電荷量は8.0nC～130.0nC．ゲート・ドレイン間電荷量は1.5nC～24.0nC．同社独自の低容量構造とトレンチ型フィールド・プレート構造を採用しており，これにより低オン抵抗と低ゲート容量を両立できたという．
パッケージはHSMT8，SOP8，HSOP8，CPT3，TO-220，LPTSの6種類．現在，サンプル出荷中．2012年8月から量産出荷を開始する．
[写真1] 耐圧40V/100AのパワーMOSFETの新シリーズの外観
[表1] 耐圧40V/100AのパワーMOSFETの新シリーズの概要
型名
PD
(W)極性
VDSS
(V)VGSS
(V)ID
(A)Ron(mΩ)
Qg(nC)
(VGS=10V)Qgd
(nC)パッケージ
（VGS=10V)
（VGS=4.5V)
RQ3G130MN
２
n
チ
ャ
ネ
ル40
20
13
6.1
7.9
21.3
3.9
HSMT8
RMH170N04
17
4.0
5.1
38.0
7.0
SOP8
RMH110N04
11
8.4
11.0
15.7
2.9
RMH090N04
9
12.5
16.5
10.1
1.9
RS1G260MN
3
26
2.4
3.2
54.3
10.0
HSOP8
RS1G180MN
18
5.0
6.7
24.4
4.5
RS1G150MN
15
7.6
10.2
15.8
2.9
RS1G120MN
12
11.6
15.6
10.1
1.9
RMD100N04
15
10
20.0
26.0
8.0
1.5
CPT3
RX1G10HMN
50
100
1.5
2.0
130.0
24.0
TO-220
RMJ10HN04
100
1.5
2.0
130.0
24.0
LPTS
RMJ800N04
80
3.0
4.0
65.0
12.0
RMJ700N04
70
4.0
5.5
50.0
9.0
■価格 |
■連絡先 |
