三菱電機，SiCを用いた家電機器や産業機器向けのパワー半導体モジュール5品種を発売

　三菱電機は，SiC（Silicon Carbide）のショットキ・バリア・ダイオードやMOSFETを搭載したパワー半導体モジュール5品種を発売する．ドライブ回路を内蔵し，制御電源電圧低下保護機能や短絡保護機能などを備えている．家電機器や産業機器の電源回路に利用できる．欧州のRoHS指令に適合する．

　家電機器向けとして「ハイブリッドSiC DIPIPM」，「ハイブリッドSiC DIPPFC」，「フルSiC DIPPFC」の3品種を出荷する．いずれも外形寸法は24mm×38mm．

　「ハイブリッドSiC DIPIPM」は，ダイオード部にSiCのショットキ・バリア・ダイオードを採用する．Siのショットキ・バリア・ダイオードを搭載する従来品と比べて，電力損失を約12％低減した．定格電圧は600V，定格電流は15A，回路構成は6in1．

　「ハイブリッドSiC DIPPFC」は，ダイオード部にSiCのショットキ・バリア・ダイオードを採用し，さらに力率改善回路を内蔵している．スイッチング周波数は最大30kHz．定格電圧は600V，定格電流は20Arms，回路構成はインターリーブ．

　「フルSiC DIPPFC」は，トランジスタ部にSiCのMOSFETを，ダイオード部にSiCのショットキ・バリア・ダイオードを採用し，さらに力率改善回路を内蔵している．SiのダイオードとMOSFETを搭載する従来品と比べて，電力損失を約45％低減した．スイッチング周波数は最大50kHz．定格電圧は600V，定格電流は20Arms，回路構成はインターリーブ．

　産業機器向けとして「ハイブリッドSiC-IPM」，「フルSiCモジュール」の2品種を出荷する．前者の外形寸法は67mm×131mm，後者は67mm×152mm．

　「ハイブリッドSiC-IPM」は，ダイオード部にSiCのショットキ・バリア・ダイオードを採用する．従来品（IPM L1シリーズ，PM75CL12A120）と比べて，電力損失を約25％低減した．定格電圧は1200V，定格電流は75A，回路構成は6in1．

　「フルSiCモジュール」は，トランジスタ部にSiCのMOSFETを，ダイオード部にSiCのショットキ・バリア・ダイオードを採用する．従来品（IGBTモジュール，CM400DY-24NF）と比べて，電力損失を約70％低減した．定格電圧は1200V，定格電流は800A，回路構成は2in1．

　家電機器向けの「ハイブリッドSiC DIPIPM」は2012年7月31日に，「ハイブリッドSiC DIPPFC」と「フルSiC DIPPFC」は2012年8月にサンプル出荷を開始する．産業機器向けの「ハイブリッドSiC-IPM」は2012年10月に，「フルSiCモジュール」は2013年1月にサンプル出荷する予定．これらのモジュールは，2012年7月11日～13日に東京ビックサイトにて開催される「TECHNO-FRONTIER 2012 第27回電源システム展」で公開される．

[写真1] 家電用のハイブリッドSiC DIPIPM，ハイブリッドSiC DIPPFCの外観

[写真2] 産業用のハイブリッドSiC-IPMの外観

[写真3] 産業用のフルSiCモジュールの外観