ICEMOS，耐圧が600～650V，オン抵抗が0.16～0.37ΩのパワーMOSFETを発売，オムロンのMEMSプロセスを利用して製造

　米国ICEMOS TECHNOLOGY社は，高耐圧，低オン抵抗のパワーMOSFETファミリ「ICEMOS MEMS MOSFET」4品種を発売した．ドレイン-ソース間の耐圧は600～650V，最大ドレイン電流は10～20A，オン抵抗は0.160～0.370Ω．力率改善回路やLEDドライバ，高輝度放電ランプの安定器，自動車用キセノン・ヘッドランプの安定器，電気自動車のDC-DCコンバータ，太陽光発電のパワー・コンディショナ，データ・センタのAC-DC電源などに利用できる．

　本パワーMOSFETはスーパ・ジャンクション構造を採る．MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）技術を利用して深い溝（トレンチ）を掘り，その側壁にイオンを注入・拡散してP型領域とN型領域を形成する（単相エピタキシャル）．トレンチの深さは40μm～50μm，幅は3μm．高耐圧に必要となる膜厚までP相とN相を数回積み上げていく多層エピタキシャル成長方式と比べて，電源回路を高性能化，小型化，低消費電力化しやすいという．

　製造およびMEMSプロセスの開発はオムロンが担当する．ウェハの大きさは200mm．

[写真1] ICEMOS MEMS MOSFETとウェハ

[写真2] ICEMOS TECHNOLOGY社 CEOのSamuel Anderson氏

[表1] ICEMOS MEMS MOSFETの概要