[ keyword: LSI, メモリ ]
ルネサス,メモリ容量1.1Gビット,最大動作周波数800MHzのDRAMを発売
ニュース 2010年9月28日
ルネサス エレクトロニクスは,メモリ容量が1.1Gビット,最大動作周波数が800MHzのDRAM「μPD48011318」,「μPD48011336」,「μPD48011418」,「μPD48011436」を発売した.100GビットEthernet用のスイッチやルータなどのネットワーク機器に利用できる.
ランダム・サイクル時間は13.3nsである.最大36ビット幅のデータ入出力を最大800MHzのDDR(Double Data Rate)インターフェースで動作させるため,入出力回路の低電圧化およびハイサイド・ターミネーションを採用している.また,動作中の周囲温度などの変動を動的に補償するように改良した.さらに,入力信号端子の終端素子をチップに組み込むオン・ダイ・ターミネーション機能や,データ出力時のノイズを低減するデータ・インバーション機能,入出力端子ごとの信号出力タイミングのずれを調整できるパー・ビット・デスキュ機能,プリント基板への両面実装時の配線長を制御できるミラーリング機能などを備える.
外形寸法は11mm×18.5mm.2011年4月から量産出荷を開始する予定.

[写真1] μPD48011436の外観
[表1] 製品概要
  
    
  
  
  品名 
    μPD48011318 
    μPD48011336 
    μPD48011418 
    μPD48011436 
  
     
  容量 
    1.1Gビット 
  
     
  ビット幅 
    x18 
    x36 
    x18 
	x36 
  
     
  バンク数 
    8 
  
     
  バースト長 
    2 
	4 
  
     
  電源電圧 
    VDD 
    1.5V ± 7% 
  
     
  VDDQ 
    1.0V ± 0.05V 
  
     
  VEXT 
    2.5V ± 0.2V 
  
     
  周波数 
    525MHz/600MHz 
	667MHz/800MHz 
  
     
  レーテンシ 
    tRC 
    13.3ns 
	13.75ns 
  
     
  tRL 
    tRC+2 (Data Inversionなし) 
  
     
  tWL 
    tRL+1 
  
     
  終端方法 
    VDDQ (High Side) 
  
     
  パッケージ 
    180pin BGA (14x18.5mm) 
  
     
  アドレス入力方式 
    DDR 
  
     
  アドレス入力ピン数 
    14pin (A[13:0]) 
	7pin (A[6:0]) 
  
     
新規機能 
    終端抵抗自動補正,出力スキュー調整,Data Inversion 
  
■価格  | 
■連絡先  | 



