[ keyword: LSI, メモリ ]
ルネサス,メモリ容量1.1Gビット,最大動作周波数800MHzのDRAMを発売
ニュース 2010年9月28日
ルネサス エレクトロニクスは,メモリ容量が1.1Gビット,最大動作周波数が800MHzのDRAM「μPD48011318」,「μPD48011336」,「μPD48011418」,「μPD48011436」を発売した.100GビットEthernet用のスイッチやルータなどのネットワーク機器に利用できる.
ランダム・サイクル時間は13.3nsである.最大36ビット幅のデータ入出力を最大800MHzのDDR(Double Data Rate)インターフェースで動作させるため,入出力回路の低電圧化およびハイサイド・ターミネーションを採用している.また,動作中の周囲温度などの変動を動的に補償するように改良した.さらに,入力信号端子の終端素子をチップに組み込むオン・ダイ・ターミネーション機能や,データ出力時のノイズを低減するデータ・インバーション機能,入出力端子ごとの信号出力タイミングのずれを調整できるパー・ビット・デスキュ機能,プリント基板への両面実装時の配線長を制御できるミラーリング機能などを備える.
外形寸法は11mm×18.5mm.2011年4月から量産出荷を開始する予定.
[写真1] μPD48011436の外観
[表1] 製品概要
品名
μPD48011318
μPD48011336
μPD48011418
μPD48011436
容量
1.1Gビット
ビット幅
x18
x36
x18
x36
バンク数
8
バースト長
2
4
電源電圧
VDD
1.5V ± 7%
VDDQ
1.0V ± 0.05V
VEXT
2.5V ± 0.2V
周波数
525MHz/600MHz
667MHz/800MHz
レーテンシ
tRC
13.3ns
13.75ns
tRL
tRC+2 (Data Inversionなし)
tWL
tRL+1
終端方法
VDDQ (High Side)
パッケージ
180pin BGA (14x18.5mm)
アドレス入力方式
DDR
アドレス入力ピン数
14pin (A[13:0])
7pin (A[6:0])
新規機能
終端抵抗自動補正,出力スキュー調整,Data Inversion
■価格 |
■連絡先 |