Numonyx，41nmプロセスで製造するNAND型フラッシュ・メモリ製品群を発売

　スイスNumonyx社は，41nmプロセスで製造するNAND型フラッシュ・メモリ製品群を発売する．16Gビット～32GビットのNAND型フラッシュROMを内蔵したマルチチップ・モジュールや，2Gバイト～32GバイトのeMMC（embedded Multi Media Card），2Gバイト～8GバイトのmicroSDカードなどである．携帯電話やパーソナル・ナビゲーション・システム，家電機器などに搭載し，大容量の静止画や動画の保存を可能にする．

　eMMCについてはJEDEC規格であるeMMC version 4.3に準拠する．通常MMCはスロットに挿入して使用するが，eMMCは基板上に実装して使用可能．八つの32GビットNAND型フラッシュROMに加えて，専用コントローラを搭載する．動作温度範囲は-25℃～+85℃．電圧電源は1.7V～1.95Vと2.7V～3.6Vに対応する．2009年1月からサンプル出荷を開始する予定．

　併せて，同社はウェア口径が300mmの製造ラインへの移行が完了したことも発表した．300mmウェハ，48nmプロセスのラインを利用して製造した1GビットのSLC（Single Level Cell）方式NAND型フラッシュROMには，128KバイトのOTP（One-Time Programmable）ブロックを実装できる．OTPとは1回のみプログラムできる領域のことで，製品個別IDやシリアル番号などを格納する．セキュリティ関連のデータをプログラムする際に使用し，悪質な攻撃やデータの改変などから保護する．また，データ読み取り速度は26Mバイト/s．90nmプロセスで製造したフラッシュROMと比較した場合，書き込み処理は4倍，消去処理は8倍速いという．メモリの長寿命化を支援するため，アドレス空間528バイトごとに1ビットの標準ECC（Error Checking and Correcting）を備える．2008年12月からサンプル出荷を開始する予定．

[写真1] フラッシュ・ROM・デバイスの外観