NECエレクトロニクス，最大512MビットのDRAMを混載できる40nmセルベースICの受注を開始

　NECエレクトロニクスは，40nmのCMOSプロセスで製造するセルベースIC「CB-40」の受注を開始した．最大512MビットのDRAMマクロを混載できる．待機時消費電力を抑えられるように最適化した「CB-40L」と，動作時消費電力を抑えられるように最適化した「CB-40LG」の2品種を用意する．CB-40Lの待機時消費電力は，同社の55nmプロセスのセルベースICと比べて30％程度，CB-40LGの動作時消費電力は同40％程度下がるという．

　最大搭載ゲート数は2億ゲート．55nmプロセス品と比べて，約2倍の規模の論理回路を搭載できる．最大I/O数は2800．配線層は，銅配線が6～10層で，最上層はアルミニウム配線になる．DRAMマクロのセル・サイズは0.06μm2で，これは55nmプロセス品の約半分の大きさ．

　CB-40Lの電源電圧は1.0V～1.1V，1ゲート当たりの消費電力は約1.1nW/MHz，入出力伝播遅延時間は10.4ps（2入力NANDゲート，ファンアウト数2）．CB-40LGの電源電圧は0.9V～1.0V，1ゲート当たりの消費電力は約1.0nW/MHz，入出力伝播遅延時間は10.9ps（2入力NANDゲート，ファンアウト数2）．入出力部の電圧は，いずれも1.2V，1.8V，2.5V，3.3V．

　本セルベースICで利用可能なIPコア（大規模回路ブロック）として，ARM9，ARM11，Cortex-A9，1Gbps～12.5GbpsのSerDesブロック，PCI Express/SATAインターフェース，USB 2.0インターフェース，DDR2/DDR3メモリ・インターフェース，A-Dコンバータ，D-Aコンバータ，PLL/DLL，JPEG，H.264，Display Port，MIPI（Mobile Industry Processor Interface），HDMI（High-Definition Multimedia Interface ），LVDS，Advanced PPmL（Point to Point mini-LVDS）などを用意する．

　2009年1月よりサンプル出荷を開始する．量産出荷は2009年第1四半期から．

[写真1] CB-40LGの外観