IBMなど7社，32nm世代のHigh-kメタル・ゲート技術を利用したLSIの試作を完了，評価キットの提供を開始

　米国IBM社など7社は，32nm世代のHigh-kメタル・ゲート（高誘電率ゲート絶縁膜）技術を利用したLSIの試作と動作確認を完了した．IBM社の持つ45nm世代のPolySiON技術で製造した場合と比較して，動作速度が最大35％向上し，消費電力が30～50％低減することを確認した．

　2008年4月4日より，評価キットの提供を開始している．評価キットには，テクノロジ設計マニュアル，設計および電気的特性確認ルール，Spiceモデルなどが含まれる．試作サービス（いわゆるシャトル便）の第1回のテープアウトは2008年9月30日に，第2回は2008年12月15日に行う予定．第1回の予約については，すでに満員状態になっているという．

　今回の共同開発に参加しているのは，IBM社のほか，シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing社，米国Freescale Semiconductor社，ドイツInfineon Technologies社，韓国Samsung Electronics社，STMicroelectronics社，東芝である．従来，ゲート絶縁膜の材料としてSiO2が利用されてきたが，リーク電流の増加に伴って，微細化（ゲート絶縁膜の薄型化）に限界が来ていた．これに対してHigh-k材料を用いれば，ゲート絶縁膜を厚くできる．そのため，本技術は22nm世代のLSI製造にも適用可能．また，High-kメタル・ゲート技術には，従来のCMOS製造プロセスを変更することなく，そのまま活用できるという利点もある．

[写真1] シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing社 Vice President, Platform AlliancesのWalter F. Lange氏

[写真2] 米国IBM社 Systems Technology Group, Technology & Development, 65/32nm Project LeaderのAn L. Steegen氏