TDK，2値記憶と多値記憶の両方に対応したNAND型フラッシュROMコントローラLSIを発売

　TDKは，NAND型フラッシュROMコントローラLSI「GBDriverRA7」を発売した．2値記憶と多値記憶の両方に対応する．2値記憶の場合のメモリ容量は1Gバイト～16Gバイト，多値記憶の場合は2Gバイト～32Gバイトに対応する．ストレージ機器やディジタル・テレビ，多機能プリンタなどに利用できる．例えば，組み込みOSを格納する用途には2値記憶を，音楽やビデオなどのストリーミング・データを格納する用途には多値記憶を利用することが考えられる．

　本LSIは，4Kバイト/ページ構造のフラッシュROMと組み合わせて利用できる．後発性不良ブロックに対する予備領域を多く確保している．また，先天性不良ブロックが集中発生した個所にも不具合なくアクセスできるアドレス制御機構を実装した．書き込み時に電源をしゃ断した場合，書き込んでいたデータ以外のデータを破壊することはないという．

　1セクタにつき8ビットのECC（error correcting code）を採用した．これにより，多値記憶のNAND型フラッシュROMで起こりがちなビット・エラーを訂正できる．また，読み出しの繰り返しによって発生するビット・エラーを自動修復する機能を装備した．そのほかの機能として，データ領域に割り当てる論理ブロックの数を減らしてフラッシュROMの書き換え可能回数を延長する全セクタ数設定機能や，パスワードを設定・解除できるプロテクト機能，フラッシュROMの使用状況や不良ブロックの発生状況を確認できるスマート・コマンド機能を搭載している．

　2007年10月から生産を開始する．

[写真1] GBDriverRA7の外観