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東芝，2値領域と多値領域を任意に設定できるNAND型フラッシュ・メモリを発売
ニュース 2007年6月25日
東芝は，2値領域の容量と多値領域の容量を任意に設定できるNAND型フラッシュ・メモリ「mobileLBA-NAND」を発売する．2値記憶セルと多値記憶セルを一体化し，さらに両記憶方式に対応するコントローラを組み込んだ．例えば，高速な書き込みや読み出しが求められるプログラム格納領域では2値記憶を利用し，大容量が必要となるデータ保存領域では多値記憶を利用する，といった使い方を想定している．高画素のカメラ機能や音楽プレーヤ機能を備える携帯電話などに利用できる．
メモリ容量が2Gビット，4Gビット，8Gビット，16Gビット，32Gビットの5品種を用意する．2Gビット品，4Gビット品，8Gビット品については，2値記憶領域の容量を自由に設定できる．一方，16Gビット品と32Gビット品については，2値記憶領域の容量が最大8Gビットという制限がある．
インターフェース仕様は，論理アドレス・アクセス方式の標準的なNAND型フラッシュ・メモリ・インターフェース．電源電圧は，コントローラ部分が1.7V～1.95V，フラッシュ・メモリ部分が1.7V～1.95Vまたは2.6V～3.3V．
2007年8月からサンプル出荷を開始する．
[写真1] mobileLBA-NANDの外観
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