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東芝,10Mバイト/sで書き込める16GビットのNAND型フラッシュROMを発売,56nmプロセスで製造

 東芝は,56nmプロセスを用いて製造するNAND型フラッシュROM2品種を発売した.16Gビット品の「TC58NVG4D1DTG00」と,8Gビット品の「TC58NVG3D1DTG00」である.ページ・サイズを従来の2,112バイトから4,314バイトに拡張した.これにより,10Mバイト/sで書き込めるようになった.例えば携帯電話や携帯型オーディオ・プレーヤ,USBメモリなどに使えるという.

 本ROMの書き込み時間は800μs/ページ(標準値),消去時間は2ms/ブロック(標準値).1ブロックは128ページである.アクセス時間は,1回目が50μsで,2回目以降は30ns.外形寸法は12mm×20mm×1.2mm.パッケージは48ピンのTSOP.

 8Gビット品の「TC58NVG3D1DTG00」は,既に量産を開始している.16ビット品の「TC58NVG4D1DTG00」は,2007年第2四半期から量産を開始する.


[写真1] TC58NVG3D1DTG00とTC58NVG4D1DTG00の外観

■価格
3,800円(サンプル価格,TC58NVG4D1DTG00)
2,000円(サンプル価格,TC58NVG3D1DTG00)

■連絡先
株式会社東芝
TEL: 03-3457-3420
URL: http://www.toshiba.co.jp/

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