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東芝，10Mバイト/sで書き込める16GビットのNAND型フラッシュROMを発売，56nmプロセスで製造
ニュース 2007年1月25日
東芝は，56nmプロセスを用いて製造するNAND型フラッシュROM2品種を発売した．16Gビット品の「TC58NVG4D1DTG00」と，8Gビット品の「TC58NVG3D1DTG00」である．ページ・サイズを従来の2,112バイトから4,314バイトに拡張した．これにより，10Mバイト/sで書き込めるようになった．例えば携帯電話や携帯型オーディオ・プレーヤ，USBメモリなどに使えるという．
本ROMの書き込み時間は800μs/ページ（標準値），消去時間は2ms/ブロック（標準値）．1ブロックは128ページである．アクセス時間は，1回目が50μsで，2回目以降は30ns．外形寸法は12mm×20mm×1.2mm．パッケージは48ピンのTSOP．
8Gビット品の「TC58NVG3D1DTG00」は，既に量産を開始している．16ビット品の「TC58NVG4D1DTG00」は，2007年第2四半期から量産を開始する．
[写真1] TC58NVG3D1DTG00とTC58NVG4D1DTG00の外観
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