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Samsung，32GビットのNAND型フラッシュ・メモリを開発
ニュース 2006年9月12日
韓国Samsung Electronics社は，40nmのプロセスで製造する32GビットのNAND型フラッシュ・メモリを開発したと発表した．2008年から量産を開始する予定．
このフラッシュ・メモリは，同社のCharge Trap Flash（CTF）技術を用いた最初の製品である．CTF技術では，タンタル，酸化アルミニウム，窒化物，酸化物，シリコンから構成されるTANOS（TaN/Al203/Nitride/Oxide/Silicon）構造を採用．この技術を用いると，セル間のノイズ・レベルが減少し，フラッシュ・メモリの信頼性が向上するという．
同社では従来，東芝が開発したフローティング・ゲート技術を用いていた．フローティング・ゲート技術では，制御ゲートにポリシリコンを採用しているが，CTF技術では窒化タンタルを使用している．そのため，フローティング・ゲート技術を用いた場合に比べて，サイズが20％ほど小さくなるという．
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