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Intel，組み込み機器向けに最大1Gビットのフラッシュ・メモリを発売
ニュース 2005年4月7日
米国Intel社は，64Mビット～1Gビットのフラッシュ・メモリ「Intel StrataFlash エンベデッド・メモリ（P30）」を発売する．バス幅は16ビット．メモリ・セルのアーキテクチャはNOR型．1メモリ・セル当たり2ビットのデータを記憶する多値論理技術を採用している．ディジタル・カメラやディジタル家電などの組み込み機器における需要を見込んでいる．
電源電圧は，コア電圧が1.7V～2.0V，I/O電圧が1.7V～3.6V．メモリ容量が256Mビットの品種の場合，待機時の消費電流は55μA（標準値），40MHzの同期バースト・モード（4ワード）で読み出しを行う際の消費電流は13mA（標準値）である．非同期読み出しモードにおけるアクセス時間は85ns．
パッケージは，外形寸法が14mm×20mmの56ピンTSOP，10mm×13mmの64ピンBGA，8mm×10mmの88ピン・スタック型CSPの三つか迹Iぶことができる．
64Mビット，128Mビット，256Mビット，512Mビットの品種は2005年第2四半期から，1Gビットの品種は同年後半から出荷を開始する．
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