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International Rectifier，ゲート駆動電圧が4.5Vと低いパワーMOSFETを発売
ニュース 2004年5月19日
米国International Recrifier社は，ゲート駆動電圧が4.5Vと低いパワーMOSFET「HEXFET」の国内でのサンプル出荷を開始した．ON抵抗やドレイン電流などの異なる5品種を用意する．電動パワー・ステアリングや直流ブラシ/ブラシレス・モータ制御など，自動車分野での需要を見込んでいる．
ON抵抗がもっとも小さい「IRL1404ZS」の場合，ゲート-ソース電圧が10VのときのON抵抗は3.1mΩ，4.5Vときは5.9mΩ．ON抵抗を低減するため，本MOSFETはSi基板にトレンチ（溝）構造を形成する技術を用いている．
IRL1404ZSの接合温度は＋175℃．耐圧は40V，ドレイン電流は75Aである．接合部とパッケージの間の熱抵抗は0.65℃/W。
[表1] HEXFETパワーMOSFETの概要
VGS＝10V
VGS＝4.5V
IRL1404ZS
IRL3705ZS
IRLR2905Z
IRLZ44ZS
IRLR024Z
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