[ keyword: LSI ]
東芝,メモリ容量が128Mビットの疑似SRAMを発売
ニュース 2003年1月22日
東芝は,メモリ容量が128Mビットの疑似SRAM「TC51WHM716AXBN70」と「TC51WKM716AXBN75」を発売する.疑似SRAMとは,メモリ・セルの構造がDRAMと同じ1トランジスタ,1キャパシタで,外部とのインターフェースをSRAMの仕様に合わせたメモリである.メモリの高集積化や小型化が求められるPDAなどの携帯機器における需要を見込んでいる.
アクセス時間は,TC51WHM716AXBN70が70ns,TC51WKM716AXBN75が75nsである.いずれの製品も待機時電流は250μA,ディープ・パワー・ダウン・モード(データ保護のためのリフレッシュ動作を行わず,メモリ・アレイ全体の電源供給を切る動作モード)時の電流は3μA.電源電圧は2製品ともに2.6~3.3V.I/O電圧はTC51WHM716AXBN70が2.6~3.3V,TC51WKM716AXBN75が1.65~1.95V.パッケージは,外形寸法が9mm×12mmの69ピンFBGA.
両製品とも2003年3月から量産出荷を開始する.また,本疑似SRAMとほかのSRAMやフラッシュ・メモリ(NAND型およびNOR型)を1パッケージに封止したメモリ・モジュールも商品化する予定.
■価格 |
■連絡先 |