東芝は，メモリ容量が128Mビットの疑似SRAM「TC51WHM716AXBN70」と「TC51WKM716AXBN75」を発売する．疑似SRAMとは，メモリ・セルの構造がDRAMと同じ1トランジスタ，1キャパシタで，外部とのインターフェースをSRAMの仕様に合わせたメモリである．メモリの高集積化や小型化が求められるPDAなどの携帯機器における需要を見込んでいる．
アクセス時間は，TC51WHM716AXBN70が70ns，TC51WKM716AXBN75が75nsである．いずれの製品も待機時電流は250μA，ディープ・パワー・ダウン・モード（データ保護のためのリフレッシュ動作を行わず，メモリ・アレイ全体の電源供給を切る動作モード）時の電流は3μA．電源電圧は2製品ともに2.6〜3.3V．I/O電圧はTC51WHM716AXBN70が2.6〜3.3V，TC51WKM716AXBN75が1.65〜1.95V．パッケージは，外形寸法が9mm×12mmの69ピンFBGA．
両製品とも2003年3月から量産出荷を開始する．また，本疑似SRAMとほかのSRAMやフラッシュ・メモリ（NAND型およびNOR型）を1パッケージに封止したメモリ・モジュールも商品化する予定．
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