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NEC化合物デバイス，5GHz帯機器向けのSiGeトランジスタを発売

ニュース 2002年7月24日

》 2002年7月のニュース

　NEC化合物デバイスは，周波数帯域が5GHzの機器で利用できるシリコン・ゲルマニウム（SiGe）トランジスタ「NESG2101M05」，「NESG2031M05」，「NESG2021M05」を発売した．無線LANや携帯電話などの無線通信機器における信号増幅に使われる．NESG2101M05は低ひずみが，MESG2031M05は低ノイズが，NESG2021M05は低ノイズ，高利得，低消費電流が特徴である．

　本トランジスタは，同社のプロセス技術「UHS2」と選択的エピタキシャル・ベース成長の技術によって製造されている．UHS2とは，半導体にイオン注入やパターン描画を行うときのズレを自動的に補正する技術（セルフアライン）である．また，選択的エピタキシャル・ベース成長とは，トランジスタのベース層になる部分の半導体を結晶成長させるプロセス技術である．従来のSiGeプロセスは，周波数を高くすると耐圧が低下するという問題があった．一方，本トランジスタのコレクタ－エミッタ間の耐圧は最小5Vである．

　2012（2.0mm×1.2mm）型の4ピン・パッケージに封止して出荷する．量産出荷は2002年9月に開始する予定．


[写真1] NESGシリーズの外観

[表1] NESGシリーズの仕様

型名
NESG2012M05
NESG2031M05
ノイズ指数（NF）
0.9dB（VCE＝2V，IC＝3mA，ｆ＝2GHzのとき）
0.8ｄB（VCE＝2V，IC＝5mA，ｆ＝2GHzのとき）
NF利得（Ga)
最小18dB（VCE＝2V，IC＝3mA，ｆ＝2GHzのとき）
最小17dB（VCE＝2V，IC＝5mA，ｆ＝2GHzのとき）
ノイズ指数（NF）
1.3dB（VCE＝2V，IC＝3mA，ｆ＝5.2GHzのとき）
1.3dB（VCE＝2V，IC＝5mA，ｆ＝5.2GHzのとき）
NF利得（Ga）
最小11dB（VCE＝2V，IC＝3mA，ｆ＝5.2GHzのとき）
最小10dB（VCE＝2V，IC＝5mA，ｆ＝5.2GHzのとき）
安定電力利得（MSG）
最大22.5dB（VCE＝2V，IC＝10mA，ｆ＝2GHzのとき）
最大21.5dB（VCE＝3V，IC＝20mA，ｆ＝2GHzのとき）
コレクタ-エミッタ間の耐圧（Vceo）
最小5V

型名
NESG2101M05
出力電力（Po）
21.0dBm（VCE＝3.2V，ICｑ＝10mA，ｆ＝2GHz，1dBに圧縮したとき）
線形利得（GL）
16.0dB（VCE＝3.2V，ICｑ＝10mA，ｆ＝2GHzのとき）
安定電力利得（MSG）
最大17.0dB（VCE＝3.0V，ICｑ＝50mA，ｆ＝2GHzのとき）
コレクタ-エミッタ間の耐圧（Vceo）
最小5V

■価格
30円（NESG2101M05）
30円（NESG2031M05）
50円（NESG2021M05）

■連絡先
NEC化合物デバイス株式会社
TEL: 044-435-1918
E-mail: techinfo@csd-nec.com
URL: http://www.csd-nec.com/

参考URL

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