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国内半導体メーカ11社,システムLSI設計技術と90nmプロセス技術の研究・開発会社を設立

 国内半導体メーカ11社は,システムLSI設計技術と90nmプロセス技術の研究・開発会社「先端SoC基盤技術開発(ASPLA)」を設立した.東芝,日立製作所,富士通,松下電器産業,三菱電機,NECがそれぞれ1億5千万円を,沖電気工業,三洋電機,シャープ,ソニー,ロームがそれぞれ1千万円を出資する.

 ASPLAは,プロセス技術と半導体メーカ各社が持つIPコアや回路ライブラリを統一し,システムLSI開発の共通基盤を確立することを目指している.こうした技術は独立行政法人である産業技術総合研究所(産総研)と共同で研究していく.また,STARC(半導体理工学研究センター)と提携し,STARCが開発した設計ルールや回路ライブラリ,IPコアを利用して設計されたICの試作・検証を行う.

 2003年6月に90nmプロセスで製造するウェハの試作受託を開始する.2004年には90nmプロセスの量産化技術を各半導体メーカに移転する予定.

 


[写真1] 先端SoC基盤技術開発の設立記者発表のようす

■連絡先
株式会社先端SoC基盤技術開発
TEL: 03-3593-7362
URL: http://www.aspla.com

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