エルピーダメモリ，512MビットのDDR-II SDRAMを発売

　エルピーダメモリは，メモリ容量が512MビットのDDR-II SDRAMを発売した．ビット幅の異なる3種類の品種「EDE5104G」，「EDE5108G」，「EDE5116G」を用意する（表1）．メモリ容量が512MビットのDDR-II SDRAMの製品出荷は世界初であるという．

　本SDRAMには，同社が開発した1.8V動作で1Gbpsのデータ転送速度を実現した回路技術を用いている．この回路技術により，出力のタイミング・スキューを10ps以下に抑えたり，4nsのサイクルでデータの読み書きを行えるようになったという．

　本SDRAMの1ピン当たりのデータ転送速度は，最大533Mbps（クロック周波数は266MHz）である．また本SDRAMの消費電力は，一つのアドレスからデータを読み出す場合（ACT-READ-PRE動作時），最大304mWである．これは，同社のDDR-I SDRAM（266Mbps）製品の消費電力418mW（ACT-READ-PRE動作時）と比べると，約70％の値である．I/OインターフェースはSSTL_18に対応している．

　本SDRAMは，0.13μmルールのCMOSプロセスで製造する．同社の広島工場で生産している．

　サンプル出荷はすでに始まっている．量産出荷は，2003年第1四半期に開始する予定．

[写真1] EDE5108Gの外観

[表1] 主な仕様