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日立製作所，ゲート-ソース間電圧4.5V時のオン抵抗値が2.5mΩのNチャネル型電源用MOS FETを発売
ニュース 2002年6月10日
日立製作所は，ゲート-ソース間電圧4.5V時のオン抵抗値が2.5mΩのNチャネル型電源用MOS FET「HAT2164H」を発売する．同社の従来品と比べてオン抵抗値を40％低減した．絶縁型DC-DCコンバータ電源の2次側同期整流用や非絶縁型DC-DCコンバータ用の駆動回路に用いられる．
本製品の製造プロセスは，0.35μmルール．最大定格電圧は30V，最大定格電流は60A，最大定格電力は30Wである．ゲート-ドレイン電荷量は15nCである．ゲート-ドレイン電荷量とは，電源用MOS FETのスイッチング損失を示す値であり，その値が小さいほど損失は低くなる．
これとは別に，ゲート-ドレイン電荷量が9.5nCのNチャネル型電源用MOS FET「HAT2165H」を用意している．ゲート-ソース間電圧4.5V時のオン抵抗値が30mΩ．定格電圧は30V，定格電流は55A，定格電力は30Wである．
両製品の外形寸法は4.31mm×6.2mm×1.1mmである．サンプル出荷の開始時期は2002年7月．
[写真1] HAT2164HとHAT2165Hのピン配置
[写真2] HAT2164HとHAT2165Hの外観
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