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日立製作所,ゲート-ソース間電圧4.5V時のオン抵抗値が2.5mΩのNチャネル型電源用MOS FETを発売

 日立製作所は,ゲート-ソース間電圧4.5V時のオン抵抗値が2.5mΩのNチャネル型電源用MOS FET「HAT2164H」を発売する.同社の従来品と比べてオン抵抗値を40%低減した.絶縁型DC-DCコンバータ電源の2次側同期整流用や非絶縁型DC-DCコンバータ用の駆動回路に用いられる.

 本製品の製造プロセスは,0.35μmルール.最大定格電圧は30V,最大定格電流は60A,最大定格電力は30Wである.ゲート-ドレイン電荷量は15nCである.ゲート-ドレイン電荷量とは,電源用MOS FETのスイッチング損失を示す値であり,その値が小さいほど損失は低くなる.

 これとは別に,ゲート-ドレイン電荷量が9.5nCのNチャネル型電源用MOS FET「HAT2165H」を用意している.ゲート-ソース間電圧4.5V時のオン抵抗値が30mΩ.定格電圧は30V,定格電流は55A,定格電力は30Wである.

 両製品の外形寸法は4.31mm×6.2mm×1.1mmである.サンプル出荷の開始時期は2002年7月.


[写真1] HAT2164HとHAT2165Hのピン配置


[写真2] HAT2164HとHAT2165Hの外観

■価格
200円(両製品のサンプル価格)

■連絡先
日立製作所株式会社
TEL: 03-5201-5191
URL: http://www.hitachisemiconductor.com/

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