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東芝,アクセス時間40nsの8MビットSRAMを発売
ニュース 2002年1月30日
東芝は,アクセス時間40ns~70nsの8MビットSRAMを発売する.ビット構成や最大アクセス時間の異なる8品種を用意する.0.15μmルールのCMOSプロセスで製造する.
本製品は,外部電源電圧が1.65V~3.6Vである.電源電圧を降圧する回路を備えている.動作時の最大消費電力は25mA~30mA,待機時の最大消費電力は5μA~10μAである.
パッケージはSOPとBGA.サンプル出荷の開始時期は2002年2月.量産出荷の開始時期は2002年3月.また,本製品のベアチップも供給する.ベアチップはすでにサンプル出荷を開始している.量産出荷の開始時期は2002年2月.
これとは別に,4Mビットと16Mビットの製品も2002年第2四半期に製品化する.
[写真1] 製品の外観
[表1] 主な仕様
TC55VBM316ATGN40
30mA
TC55VBM316ATGN55
TC55VBM316ASGN40
30mA
TC55VBM316ASGN55
25mA
30mA
25mA
TC55YEM316AXGN55
30mA
30mA
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