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富士通研，最大発振周波数185GHzのMOSトランジスタを開発
ニュース 2001年12月5日
富士通研究所は，最大発振周波数185GHzのMOSトランジスタを開発した．同社の従来製品と比べて最大発振周波数が約2倍になるという．これにより，GaAsなどの特殊な製造プロセスを使わなくても，数十GHzオーダの高周波LSIを開発できるもよう．
今回の製品は，SOI(Si on insulator)基板を採用している．通常のシリコン基板と比べて，トランジスタの寄生容量を低減できる．また，DTMOS(dynamic threshold MOS)構造を採用している．一方，ゲート電極の上部にシリサイドを形成した後，アルミをはわせる構造になっている．これにより，シート抵抗は0.02Ω/□（同社の従来製品の1/200）となった．ノイズ比は0.8dBである．
2004年～2005年の製品化を予定している．
[写真1] 今回開発されたMOSトランジスタの断面写真
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