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日立，10Mバイト/sで書き込めるAND型フラッシュ・メモリ・セルを開発
ニュース 2001年12月4日
日立製作所は，10Mバイト/sで書き込めるAND型フラッシュ・メモリ・セル「AG-AND」を開発した．AG-ANDとは，assist gate-ANDの略である．多値記録の技術を使用している．この技術により，通常のCD1枚分のデータをが約6秒でフラッシュ・メモリ・カードに書き込めるという．
AG-ANDは，セル干渉を防ぐアシスト・ゲートとフロンティング・ゲートを交互に組み合わせるフィールド・アイソレーション方式を採用している．従来の浅溝アイソレーション方式に比べて，セルの面積を小さくできる．また，書き込み方式を従来のF-Nトンネル（fowler-nordheim tunneling）方式からホット・エレクトロン方式に変更した．0.13μmプロセスで製造した場合のセル面積は0.052μm2となる．これは，浅溝アイソレーション方式の場合と比べて，1/2の面積となる．並列に書き込むこともできる．
今後，今回の技術を使って，ギガ・ビット・クラスのフラッシュ・メモリやフラッシュ・メモリ・カードを製品化する予定である．
[図1] AG-ANDフラッシュ・メモリ・セル
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