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日立，メモリ制御LSIを組み込んだ携帯機器向けAND型フラッシュ・メモリを発売
ニュース 2001年10月22日
日立製作所は，AND型フラッシュ・メモリ「モバイルメディアチップ」を発売する．フラッシュ・メモリLSIとメモリ制御LSIを積層実装し，1パッケージに封止した．記憶容量が16Mバイトの「HB28E016BP2」と，同32Mバイトの「HB28D032BP2」の2品種を用意する．ディジタル・カメラやPDA，携帯電話などの携帯機器向けに開発された．
本チップのメモリ制御回路は，マルチメディアカード（以下，MMC）と同じものを用いており，不良セクタ管理や誤り訂正を行う．また，I/O部分のインターフェースにも，MMCに用いられているSPI（serial peripheral interface）を使用している．このため，MMCを利用する機器に本チップを用いた場合，ドライバ・ソフトの開発が不要になる．
本チップの動作電圧は2.7V～3.6V．データの読み出し速度は1.7Mバイト/s，書き込み速度は1.0Mバイト/sである．パッケージは，71ピンのFBGAで，外形寸法は，16Mバイト品が11mm×9mm×1.4mm，32Mバイト品が11mm×10mm×1.4mmである．
サンプル出荷の開始時期は，16Mバイト品が2001年10月23日，32Mバイト品が同年12月．
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