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インテル，高速な読み出し性能を備えたフラッシュ・メモリを発表
ニュース 2001年9月27日
インテルは，通常のフラッシュ・メモリに比べて，読み出し速度を最大4倍に引き上げたフラッシュ・メモリ「3V シンクロナス StrataFlashメモリ（3K）」を発売する．メモリ容量については，64Mビット，128Mビット，256Mビットを用意する．
メモリ・セルのアーキテクチャはNOR型である．多値論理技術を採用しており，1メモリ・セルあたり2ビットのデータを記憶している．つまり，2値論理を採用しているメモリに比べて，1セル当たり2倍のメモリ容量を持つ．
本メモリは66MHzのバースト・モードを備えている．これにより，スルートップは92Mbpsとなった．また，非同期バースト・モードに対応していない端末向けに，8ワード・ページ・モードを備えている．これにより，通常の非同期フラッシュ・メモリに比べて，読み出し速度が2倍になるという．読み出し時間は，64Mビット品が110ns，128Mビット品が115ns，256Mビット品が120nsである．
コア電圧は2.7～3.6V．入出力電圧は，1.8Vと3.0Vに対応している．
[図1] 3V シンクロナス StrataFlashメモリ（3K）の外観
[図2] 性能についてのプレゼンテーションのようす
[表1] 表1 3V シンクロナス StrataFlashメモリ（3K）の出荷予定
メモリ容量 サンプル出荷 量産開始
64Mビット 2002年第2四半期 2002年第4四半期
128Mビット 2001年第4四半期 2002年第2四半期
256Mビット 2002年第2四半期 2002年第4四半期
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