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　インテルは，通常のフラッシュ・メモリに比べて，読み出し速度を最大4倍に引き上げたフラッシュ・メモリ「3V シンクロナス StrataFlashメモリ（3K）」を発売する．メモリ容量については，64Mビット，128Mビット，256Mビットを用意する．

　メモリ・セルのアーキテクチャはNOR型である．多値論理技術を採用しており，1メモリ・セルあたり2ビットのデータを記憶している．つまり，2値論理を採用しているメモリに比べて，1セル当たり2倍のメモリ容量を持つ．

　本メモリは66MHzのバースト・モードを備えている．これにより，スルートップは92Mbpsとなった．また，非同期バースト・モードに対応していない端末向けに，8ワード・ページ・モードを備えている．これにより，通常の非同期フラッシュ・メモリに比べて，読み出し速度が2倍になるという．読み出し時間は，64Mビット品が110ns，128Mビット品が115ns，256Mビット品が120nsである．

　コア電圧は2.7〜3.6V．入出力電圧は，1.8Vと3.0Vに対応している．

メモリ容量	サンプル出荷	量産開始
64Mビット	2002年第2四半期	2002年第4四半期
128Mビット	2001年第4四半期	2002年第2四半期
256Mビット	2002年第2四半期	2002年第4四半期