東芝，DRAMセル構造をとる64Mビット擬似SRAMを発売

　東芝は，記憶容量が64Mビットの擬似SRAM（Pseudo SRAM）「TC51W6416XB-80」，「TC51W6416XB-85」，「TC51W6417XB-80」，「TC51W6417XB-85」を発売する．この記憶容量は，擬似SRAMにおいては最大だという．携帯機器などに利用できる．

　擬似SRAMとは，セルの構造がDRAMと同じ1トランジスタ，1キャパシタで，入出力インターフェースをSRAMと同じ仕様にしたメモリである．従来のSRAMよりメモリ・セルのサイズが小さくなるため，高速化と大容量化を図れる．

　本メモリは，0.175μmのCMOS技術を用いて製造する．電源電圧は2.5～3.1V．通常の待機時電流（スタンバイ電流）は100μA，データを保持していないときの待機時電流（ディープ・スタンバイ電流）は5μAである．メモリ構成は4M×16ビット．データへのアクセス時間は，TC51W6416XB-80とTC51W6417XB-80が80ns，TC51W6416XB-85とTC51W6417-XB-85が85nsである．リフレッシュ機能を内蔵しており，外部からリフレッシュ制御を行う必要がない．パッケージは48ピンのFBGA（外形寸法は6mm×9mm）．

　サンプル出荷の開始時期は2001年10月末．2002年1月より量産出荷を開始する．積層型のマルチチップ・モジュール（3次元実装）に利用できるように，ダイ・チップの形態でも供給する．

[写真1] TC51W6417XB-80（上）とTC51W6416XB-80（下）