Infineon，GaAs-PHEMTを用いた無線通信用のアンテナ・スイッチを発売

　ドイツInfineon Technologics社は，無線通信機器向けのアンテナ・スイッチ「CSH210」（正論理），「CSH210R」（負論理），「CSH210P」（正論理）の3種類を発売する．PHEMT（pseudomorphic high electron mobility transistor）技術を用いたGaAsプロセスで製造する．

　一般にGaAsのHEMT（high electron mobility transistor）は，バイアスをかけるために負の制御電圧が必要になる．一方，本スイッチを構成するPHEMTは正の制御電圧を使う．そのため，負電圧を作る素子を省けるという利点がある．

　本スイッチは，送受信アンテナの切り換えやフィルタ帯域の選択，ローカル・オシレータの選択などに利用できる．また，デュプレクサやSAWフィルタと組み合わせると，フロントエンド・モジュールを構成できる．このモジュールは，高周波スイッチングに適しているPINダイオードを使用した場合と比較して，消費電流が1％以下になるという．

　CSH210とCSH210Rは汎用のSPDT（単極双投）スイッチである．また，CSH210RはCSH210の高電力版である．動作周波数が1GHzのとき，CSH210とCSH210Rの挿入損失は0.3dB，絶縁性能は24dB，CSH210Pの挿入損失は0.35dB，絶縁性能は25dBである．パッケージはいずれもSOT-363（2mm×2mm）である．

[写真1] CSH210の外観